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會員注冊規(guī)則1. 為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ，直至負載電流達到≧IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
規(guī)則2. 要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流必須<IH, 并維持足夠長的時間，使能回復(fù)至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。
規(guī)則3. 設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3 象限（WT2-，+）。
規(guī)則4. 為減少雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至 MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。
規(guī)則5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。 若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾 mH的電感和負載串聯(lián)。
另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。
規(guī)則6. 假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；
用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。
規(guī)則7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開 3 象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。
規(guī)則8. 若雙向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，負載上最好串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導(dǎo)通。
規(guī)則9. 器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
規(guī)則10. 為了長期可靠工作，應(yīng)保證 Rth j-a足夠低，維持 Tj不高于 Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
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