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555芯片高壓產(chǎn)生電路

作者:佚名    文章來源:不詳    點擊數(shù):    更新時間:2010/11/15

 

NE555

高壓產(chǎn)生電路如圖39-6所示。


圖39-6

         圖中,IC555時基電路與電阻R1、R2和電容C1、C2組成無穩(wěn)態(tài)振蕩電路,當電源接通后,電路產(chǎn)生高頻振蕩,直接推動功率放大管BG,經(jīng)放大后的振蕩電流由升壓變壓器B的升壓,再經(jīng)高壓硅堆整流,即可得到3~5kV的直流高壓,可用于負離子發(fā)生器及靜電吸塵等方面。

        BG的β>25,BVCEO>50V。

         B可選用22.9~30.5cm(9~12英寸)電視機行輸出變壓器,高壓包不動,低壓包用φ0.5mm左右的高強度添包線,繞25~30圈,也可直接使用摩托車上的點火線圈。

D為15kV的高壓硅堆。

高壓產(chǎn)生電路的印刷電路如圖39-7所示。


圖39-7

點擊查看:555內部結構,特點及引腳圖

Tags:高電壓產(chǎn)生,電路,555  
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