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單結晶體管BT32參數

作者:佚名    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2017/6/15

單結晶體管(UJT)又稱基極二極管,下面是早期國產單結晶體管BT32參數,它分為A~H共8個具體型號。

BT32A參數

分壓比(η):0.3~0.55
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32B參數

分壓比(η):0.3~0.55
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32C參數

分壓比(η):0.45~0.75
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32D參數

分壓比(η):0.45~0.75
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32E參數

分壓比(η):0.65~0.85
基極間電阻(RBB):3~6kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32F參數

分壓比(η):0.65~0.85
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32G參數

分壓比(η):0.55~0.75
基極間電阻(RBB):10~15kΩ
E對B1間反向電壓:≥60V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32H參數

分壓比(η):0.55~0.75
基極間電阻(RBB):5~10kΩ
E對B1間反向電壓:≥40V
反向電流:≤1μA
峰值電流:≤2μA
飽和壓降:≤4.5V
調制電流:9~35mA
耗散功率:300mW

測試條件

基極間電阻:UBB=20V;IE=0
E對B1間反向電壓:IEO=1μA
反向電流:UEBO=60V
峰值電流:UBB=20V
飽和壓降:UBB=20V;IE=50mA
調制電流:UBB=20V;IE=50mA

Tags:BT32,參數,基極二極管,單結晶體管  
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