一、單結晶體管的結構和等效電路

單結晶體管的外形很象晶體三極管，它也有三個電極，稱為發射極e，第一基極b₁，第二基極b₂，又叫雙基極二極管。因為只有一個PN結所以又稱為單結晶體管。外形及符號如圖(a)、(b)所示。圖中發射極箭頭指向b₁，表示經PN結的電流只流向b₁極。單結管的等效電路如圖(C)所示，r_b1表示e與b₁之間的等效電阻，它的阻值受e-b₁間電壓的控制，所以等效為可變電阻。兩個基極之間的電阻用R_bb表示，即：R_bb=R_b1+R_b2，R_b1與R_bb的比值稱為分壓比h=R_b1/R_bb，h一般在0.3～0.8之間。

二、工作原理和特性曲線  

伏安特性變化如圖所示。

★圖中，當V_BB固定，等效電路中，A點對b₁的電壓U_A=hV_BB為定值。當U_e較小時，U_e<U_A，PN結反偏，此時只有很小的反向漏電流I_EO（幾微安）如圖中曲線“1”段。
★當U_e增大，U_e=U_A時，PN結處于零偏，i_E=0。
★U_e繼續增大，當U_e>U_A，i_E開始大于零，由于硅二極管的正向壓降為0.7V，所以i_E不會有顯著的增加，這個電壓稱為峰值電壓U_P，對應電流稱為峰值電流I_P。這一區域稱為截止區。

★U_e繼續增加，U_e>U_A，管子轉向導通，PN結電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進入基區，e、b₁間載流子大量增加，使r_b1迅速減小，而r_b1的減小又使U_A降低，導致i_E又進一步加大，這種正反饋的過程，使i_E急劇增加U_A下降，單結管呈現了負阻特性，圖中曲線“2”線段，到了“C”點負阻特性結束，C點電壓U_V稱為谷點電壓，一般為1～2.5V，對應的電流稱為谷點電流Iv，一般為幾毫安。
★過了谷點之后，繼續增加U_e，i_E～U_e曲線形狀接近二極管導通時的正向特性曲線。如曲線“3”線段，此時稱為飽和區。飽和壓降一般小于4～5V。
★當改變V_BB電壓，改變了閥值電壓U_A，曲線的峰點電壓也隨之改變。
 

　　三、應用舉例

振蕩：指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。

如圖所示為單結晶體管組成的振蕩電路，其工作原理如下：

★當合閘通電時，電容C上的電壓為零，管子截止，電源V_BB通過電阻R對C充電，隨時間增長電容上電壓 (即 )逐漸增大；

★一旦 增大到峰點電壓U_P后，管子進入負阻區，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入回路迅速放電， 兩端電壓隨之減小，一旦 減小到谷點電壓U_V后，管子截止；
★電容又開始充電，重復上述過程。
由于充電時間常數遠大于放電時間常數，當穩定振蕩時，電容上電壓的波形如圖所示。